SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY
Yksityiskohdat
Yrityksen tuotesivu VISHAY
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A
Valmistajan osanumero: SIDR610DP-T1-GE3
OMI-koodi: 2494
Lisää tilaukseen
Varastossa:
0 pcs
|
Määrä [pcs] |
Hinta [EUR/pcs] |
|---|---|
| 3000+ | 2.8 |
Hintatiedot
SIDR610DP-T1-GE3
|
Määrä [pcs] |
Hinta [EUR/pcs] |
|---|---|
| 3000+ | 2.8 |
Tämä tuote on tällä hetkellä loppunut varastosta. Voit aktivoida ilmoituksen tämän tuotteen uusista saapumisista. Klikkaa tätä varten "Ilmoita" -painiketta ja täytä lomake.
Tekniset tiedot
Näytä samankaltaiset tuotteet –Asiakirjoja ei päivitetä automaattisesti, mutta pyrimme parhaan kykymme mukaan tarjoamaan asiakirjojen ajantasaisimmat versiot.
Viimeksi katsotut tuotteet